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一般建筑物上的避雷針只能預(yù)防直擊雷。目前，直擊雷造成的災(zāi)害已明顯減少，而隨著科技和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，感應(yīng)雷造成的危害卻大大增加。

雷電直擊微電子設(shè)備及系統(tǒng)的可能性不大，但是雷擊附近大地、建筑物、交流供電線路或空中雷電感應(yīng)形成的沖擊過電壓，都有可能通過與之相連的電源線、信號傳輸線或接地系統(tǒng)，侵入微電子設(shè)備及系統(tǒng)，輕則引起系統(tǒng)失靈，重則導(dǎo)致系統(tǒng)或元器件永久損壞。

據(jù)國外一家保險(xiǎn)公司統(tǒng)計(jì)，在各種災(zāi)害造成的損害中，感應(yīng)雷擊造成的損害高居榜首，占全部災(zāi)害損失的33．8％。

建筑物的防雷分類

建筑物應(yīng)根據(jù)其重要性、使用性質(zhì)、發(fā)生雷電事故的可能性和后果，按防雷要求分三類。

遇下列情況之一時(shí)，應(yīng)劃為第一類防雷建筑物：

凡制造、使用或貯存炸藥、火藥、起爆藥、火工品等大量爆炸物質(zhì)的建筑物，因電火花而引起爆炸，會造成巨大破壞和人身傷亡者。

遇下列情況之一時(shí)，應(yīng)劃為第二類防雷建筑物：

A.國家級重點(diǎn)文物保護(hù)的建筑物。

B.國家級的會堂、辦公建筑物、大型展覽和博覽建筑物、大型火車站、國賓館、國家級檔案館、大型城市的重要給水水泵房等特別重要的建筑物。

C.國家級計(jì)算中心、國際通訊樞紐等對國民經(jīng)濟(jì)有重要意義且裝有大量電子設(shè)備的建筑物。

D.制造、使用或貯存爆炸物質(zhì)的建筑物，且電火花不易引起爆炸或不致造成巨大破壞和人身傷亡者。

遇下列情況之一時(shí)，應(yīng)劃為第三類防雷建筑物：

省級重點(diǎn)文物保護(hù)的建筑物及省級檔案館。

一類：如易燃、易爆場所

二類：如國家級歷史文物

三類：如省級歷史文物、一般工業(yè)建筑

2.2.2防雷區(qū)（LPZ）的劃分

防雷區(qū)以其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防雷區(qū)的特征。

防雷區(qū)宜按以下規(guī)定分區(qū)：

 LPZO_A區(qū)——本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭受直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流，本區(qū)的雷電電磁場沒有衰減。

 LPZO_B區(qū)——本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭受直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)的雷電電磁場的量級與1 LPZO_A區(qū)一樣。

 LPZ1區(qū)——本區(qū)內(nèi)的各物不可能遭受直接雷擊，流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZO_B區(qū)更小，本區(qū)內(nèi)的雷電電磁場可能衰減（雷電電磁場與LPZO_A區(qū)、LPZO_B區(qū)可能不一致），這取決屏蔽措施。

后續(xù)防雷區(qū)（LPZ2等）——當(dāng)需要進(jìn)一步減小雷電流和電磁場時(shí)，應(yīng)引入后續(xù)防雷區(qū)，并按照需要保護(hù)的系統(tǒng)所要求的環(huán)境選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。

在兩個(gè)防雷區(qū)的界面上，應(yīng)將所有通過界面的金屬物做等電位連接，并宜采用屏蔽措施。